IRFR9010和IRFR9010TRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR9010 IRFR9010TRLPBF IRFR9010TRPBF

描述 P-CHANNEL POWER MOSFETSMOSFET P-CH 50V 5.3A DPAKMOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

耗散功率 - 25W (Tc) 25W (Tc)

漏源极电压(Vds) - 50 V 50 V

输入电容(Ciss) - 240pF @25V(Vds) 240pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 25W (Tc) 25W (Tc)

额定功率(Max) - - 25 W

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - - Cut Tape (CT)

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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