J211和J211D74Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 J211 J211D74Z

描述 N通道射频放大器 N-Channel RF AmplifierRF Small Signal Field-Effect Transistor, 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-92

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole -

引脚数 3 -

封装 TO-226-3 -

额定电压(DC) 25.0 V -

额定电流 20 mA -

极性 N-Channel -

耗散功率 350 mW -

漏源极电压(Vds) 1.50 V -

连续漏极电流(Ids) 15.0 mA -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 350 mW -

额定电压 25 V -

长度 5.2 mm -

宽度 4.19 mm -

高度 5.33 mm -

封装 TO-226-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

ECCN代码 EAR99 -

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