LMC6482IN和TS912IN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMC6482IN TS912IN LMC6482AIN/NOPB

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LMC6482IN  运算放大器, 双路, 1.5 MHz, 2个放大器, 1.3 V/µs, 3V 至 15.5V, DIP, 8 引脚STMICROELECTRONICS  TS912IN  运算放大器, 双路, 800 kHz, 2个放大器, 0.4 V/µs, 2.7V 至 16V, DIP, 8 引脚CMOS 运算放大器,LMC/LPC 系列### 运算放大器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 DIP-8 DIP-8

电源电压(DC) 5.00 V 3.00 V 16.0 V

工作电压 - 2.7V ~ 16V -

供电电流 1.3 mA 400 µA 1.3 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

共模抑制比 - 60 dB 70 dB

带宽 1.5 MHz 800 kHz 1.5 MHz

转换速率 1.30 V/μs 400 mV/μs 1.30 V/μs

增益频宽积 1.5 MHz 1.4 MHz 1.5 MHz

输入补偿电压 110 µV 10 mV 110 µV

输入偏置电流 0.02 pA 1 pA 0.02 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 15.5V 2.7V ~ 16V 3V ~ 15.5V

电源电压(Max) 15.5 V 16 V -

电源电压(Min) - 2.7 V -

输出电流 ≤30 mA - ≤30 mA

输入补偿漂移 1.00 µV/K - 1.00 µV/K

增益带宽 1.5 MHz - 1.5 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB - 70 dB

宽度 - 6.35 mm 6.35 mm

封装 DIP-8 DIP-8 DIP-8

长度 - - 9.27 mm

高度 - - 3.3 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail Tube Each

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

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