BC 846BW H6327和BC846BWT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC 846BW H6327 BC846BWT1G BC846BW,115

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORNPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管NXP  BC846BW,115  单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 200 hFE

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323-3 SC-70-3 SOT-323-3

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 250 mW 150 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 250 mW 150 mW -

频率 - 100 MHz 100 MHz

针脚数 - 3 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 - 150 mW 200 mW

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A

最大电流放大倍数(hFE) - - 200 @2mA, 5V

直流电流增益(hFE) - 100 200

额定电压(DC) - 65.0 V -

额定电流 - 100 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

增益频宽积 - 100 MHz -

封装 SOT-323-3 SC-70-3 SOT-323-3

长度 - 2.2 mm -

宽度 - 1.24 mm -

高度 - 0.9 mm -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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