J211-TR1-E3和J211_D74Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 J211-TR1-E3 J211_D74Z J109,126

描述 Trans JFET N-CH 3Pin TO-226AA T/RIC SWITCH RF N-CH 25V 10mA TO-92Trans JFET N-CH 25V 40mA 3Pin SPT Ammo

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 - TO-92-3 TO-226-3

额定电压(DC) - 25.0 V -

额定电流 - 20 mA -

击穿电压 - -25.0 V -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 350 mW -

漏源极电压(Vds) - 15 V 25 V

栅源击穿电压 - 25.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 20.0 mA -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 350 mW 400 mW

额定电压 - 25 V -

漏源极电阻 - - 12 Ω

击穿电压 - - 25 V

输入电容(Ciss) - - 30pF @10V(Vgs)

额定功率(Max) - - 400 mW

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 5.33 mm -

封装 - TO-92-3 TO-226-3

重量 - 0.0911720724 kg -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 - Active Obsolete

包装方式 - Tape Tape & Box (TB)

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

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