IXFP12N50PM和IXTP12N50PM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFP12N50PM IXTP12N50PM

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 6A 3Pin(3+Tab) TO-220Trans MOSFET N-CH 500V 6A 3Pin(3+Tab) TO-220

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

耗散功率 50W (Tc) 50W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

输入电容(Ciss) 1830pF @25V(Vds) 1830pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 50W (Tc) 50W (Tc)

额定电压(DC) - 500 V

额定电流 - 12.0 A

输入电容 - 1.69 nF

栅电荷 - 29.0 nC

连续漏极电流(Ids) - 6.00 A

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司