SMBJ12D-M3/H和SMBJ12D-M3/I

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SMBJ12D-M3/H SMBJ12D-M3/I

描述 Diode TVS Single Uni-Dir 12V 600W 2Pin SMB T/RDiode TVS Single Uni-Dir 12V 600W 2Pin SMB T/R

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DO-214AA DO-214AA

钳位电压 19.6 V -

脉冲峰值功率 600 W 600 W

最小反向击穿电压 13.5 V 13.5 V

长度 5.59 mm -

宽度 3.94 mm -

高度 2.44 mm -

封装 DO-214AA DO-214AA

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

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