IS43R16160B-6TLI和W9425G6JH-5I

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43R16160B-6TLI W9425G6JH-5I IS43R16160D-6TL

描述 DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66Pin TSOP-IIDDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.4INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66Pin TSOP-II

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Winbond Electronics (华邦电子股份) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 66 - 66

封装 TSSOP-66 TSSOP-66 TSOP-66

位数 16 - 16

存取时间(Max) 0.7ns, 0.75ns - 0.7 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - 0 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V 2.3V ~ 2.7V 2.3V ~ 2.7V

工作电压 - 2.3V ~ 2.7V -

存取时间 - 5 ns 6 ns

供电电流 - - 280 mA

时钟频率 - - 166 MHz

电源电压(Max) - - 2.7 V

电源电压(Min) - - 2.3 V

封装 TSSOP-66 TSSOP-66 TSOP-66

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Not Recommended

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - PB free

ECCN代码 - - EAR99

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