1N6622E3和JANTXV1N6622

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6622E3 JANTXV1N6622 1N6622

描述 1N6622E3Diode Switching 660V 1.2A 2Pin Case AAxial Leaded Hermetically Sealed Ultra Fast Recovery Rectifier Diode

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semtech Corporation

分类 TVS二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 2 -

封装 - A, Axial -

正向电压 - 1.4V @1.2A -

反向恢复时间 - 30 ns -

正向电压(Max) - 1.4V @1.2A -

正向电流(Max) - 1.2 A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 - A, Axial -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - -

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