对比图
型号 IXFK21N100F IXFN21N100Q APT10050LVRG
描述 IXYS RF IXFK21N100F 晶体管, 射频FET, 1 kV, 21 A, 500 W, 500 kHz, TO-264SOT-227B N-CH 1000V 21ATO-264 N-CH 1000V 21A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 晶体管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 4 3
封装 TO-264-3 SOT-227-4 TO-264
针脚数 3 - -
漏源极电阻 500 mΩ - -
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 500 W 520 W 520 W
阈值电压 5 V - -
漏源极电压(Vds) 1 kV 1000 V 1.00 kV
连续漏极电流(Ids) 21.0 A 21A 21.0 A
上升时间 16 ns 18 ns 13 ns
输入电容(Ciss) 5500pF @25V(Vds) 5900pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500W (Tc) 520W (Tc) 520000 mW
额定电压(DC) - - 1.00 kV
额定电流 - - 21.0 A
输入电容 - - 7.90 nF
栅电荷 - - 500 nC
下降时间 - 12 ns 8 ns
额定功率(Max) - 520 W -
封装 TO-264-3 SOT-227-4 TO-264
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -