对比图
型号 BSD235CH6327XTSA1 SI1553DL-T1-GE3
描述 N & P 沟道 ±20 V 1200/350 mΩ OptiMOS 2 小信号 晶体管-SOT-363Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.66A/0.41A 6Pin SC-70 T/R
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
引脚数 6 6
封装 SOT-363-6 SOT-363
安装方式 Surface Mount -
漏源极电阻 0.266 Ω 0.32 Ω
极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel
耗散功率 500 mW 270 mW
阈值电压 950 mV 600 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
额定功率 0.5 W -
针脚数 6 -
连续漏极电流(Ids) 0.95A/0.53A -
输入电容(Ciss) 47pF @10V(Vds) -
额定功率(Max) 500 mW -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 500 mW -
封装 SOT-363-6 SOT-363
长度 2 mm -
宽度 1.25 mm -
高度 0.8 mm -
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品生命周期 Active -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15
含铅标准 Lead Free -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -