APT5010JLL和IXFN80N50

对比图

型号 APT5010JLL IXFN80N50 APT5010JFLL

描述 SOT-227 N-CH 500V 41AIXYS SEMICONDUCTOR  IXFN80N50  晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 80 A, 500 V, 55 mohm, 10 V, 4.5 VSOT-227 N-CH 500V 41A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Screw Screw Screw

引脚数 4 4 4

封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 41.0 A 80.0 A 41.0 A

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 - 780 W 378 W

输入电容 4.36 nF - 4.36 nF

栅电荷 95.0 nC - 95.0 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 41.0 A 80.0 A 41.0 A

上升时间 13 ns 70 ns 13 ns

输入电容(Ciss) 4360pF @25V(Vds) 9890pF @25V(Vds) 4360pF @25V(Vds)

下降时间 3 ns 27 ns 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 378000 mW 700W (Tc) 378000 mW

通道数 - 1 -

针脚数 - 4 -

漏源极电阻 - 0.055 Ω -

阈值电压 - 4.5 V -

漏源击穿电压 - 500 V -

额定功率(Max) - 780 W -

工作结温(Max) - 150 ℃ -

封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227

长度 - 38.23 mm -

宽度 - 25.42 mm -

高度 - 9.6 mm -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - - ECL99

材质 - Silicon -

重量 - 0.000036 kg -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -