对比图
型号 IGB15N60T IRG4BC20UD-SPBF IXDR30N120D1
描述 INFINEON IGB15N60T 单晶体管, IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263, 3 引脚Co-Pack IGBT 高达 20A，InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。IXYS SEMICONDUCTOR IXDR30N120D1 单晶体管, IGBT, 隔离, 50 A, 2.4 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-247
额定功率 130 W 60 W -
耗散功率 130 W 60000 mW 200 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 1200 V
反向恢复时间 - 37 ns 40 ns
额定功率(Max) 130 W 60 W 200 W
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 60 W 200000 mW
针脚数 3 - 3
极性 - - N-Channel
上升时间 - - 70 ns
下降时间 - - 70 ns
长度 10.31 mm 10.67 mm 16.13 mm
宽度 9.45 mm 9.65 mm 5.21 mm
高度 4.57 mm 4.83 mm 21.34 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-247
工作温度 -40℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 -