STP11NM65N和STW11NM65N

对比图

型号 STP11NM65N STW11NM65N STB11NM65N

描述 N沟道650 V， 0.425 I©典型值，11是MDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET采用DPAK ， TO- 220FP ， I²PAKFP和TO- 220封装 N-channel 650 V, 0.425 Ω typ., 11 A MDmesh™II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, I²PAKFP and TO-220 packagesTO-247 N-CH 650V 12AD2PAK N-CH 650V 12A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-220-3 TO-247 D2PAK

引脚数 3 - -

极性 - N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) - 12A 12A

耗散功率 125 W - -

上升时间 13 ns - -

输入电容(Ciss) 800pF @50V(Vds) - -

额定功率(Max) 110 W - -

下降时间 20 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 110W (Tc) - -

封装 TO-220-3 TO-247 D2PAK

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

工作温度 150℃ (TJ) - -