对比图
型号 PHD78NQ03LT PHD78NQ03LT,118
描述 N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FETTrans MOSFET N-CH 25V 75A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 DPAK TO-252-3
引脚数 - 3
极性 N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 25 V 25 V
连续漏极电流(Ids) 75A 75.0 A
耗散功率 - 107W (Tc)
上升时间 - 46 ns
输入电容(Ciss) - 970pF @12V(Vds)
下降时间 - 15 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 107W (Tc)
封装 DPAK TO-252-3
产品生命周期 Unknown Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)