对比图
型号 IRF9Z24 IRF9Z24N IRF9Z24NPBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3TO-220AB P-CH 55V 12AINFINEON IRF9Z24NPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -55 V, 0.175 ohm, -10 V, -4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-220 TO-220-3
额定功率 - - 45 W
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.175 Ω
极性 - P-Channel P-Channel
耗散功率 - 45.0 W 45 W
阈值电压 - - 4 V
输入电容 - - 350 pF
漏源极电压(Vds) - 55 V 55 V
漏源击穿电压 - -55.0 V 55 V
连续漏极电流(Ids) - 12.0 A 12A
上升时间 - 55 ns 55 ns
输入电容(Ciss) - 350pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 45 W
下降时间 - 37 ns 37 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 45000 mW 45W (Tc)
额定电压(DC) - -55.0 V -
额定电流 - -12.0 A -
产品系列 - IRF9Z24N -
长度 - - 10 mm
宽度 - - 4.4 mm
高度 - - 8.77 mm
封装 - TO-220 TO-220-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99