2SK2393-E和IXTX8N150L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SK2393-E IXTX8N150L 2SK2393

描述 TO-3PL N-CH 1500V 8APLUS N-CH 1500V 8ASilicon N-Channel MOS FET

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) IXYS Semiconductor HITACHI (日立)

分类 FET驱动器MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-3 TO-247-3 TO-3

漏源极电阻 - 3.6 Ω -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 - 700 W -

阈值电压 - 8 V -

漏源极电压(Vds) 1500 V 1500 V -

漏源击穿电压 - 1500 V -

连续漏极电流(Ids) 8A 8A -

上升时间 - 18 ns -

输入电容(Ciss) - 8000pF @25V(Vds) -

下降时间 - 95 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 700W (Tc) -

长度 - 16.13 mm -

宽度 - 5.21 mm -

高度 - 21.34 mm -

封装 TO-3 TO-247-3 TO-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 PB free Lead Free -

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