MC1413BDG和MC1413PG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC1413BDG MC1413PG ULQ2003AD

描述 ON SEMICONDUCTOR  MC1413BDG  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 2 V, 500 mA, 1000 hFE, SOICON SEMICONDUCTOR  MC1413PG  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIPTEXAS INSTRUMENTS  ULQ2003AD  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 SOIC-16 PDIP-16 SOIC-16

电源电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 500 mA 500 mA -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

输出电压 50 V 50 V 50 V

输出电流 500 mA 500 mA 0.5 A

针脚数 16 16 16

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 1000 @350mA, 2V -

直流电流增益(hFE) 1000 1000 1000

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -20 ℃ -40 ℃

输入电压 30 V 30 V 30 V

通道数 7 - 7

输出接口数 - - 7

驱动器/包 - - 7

输出电流(Max) - - 500 mA

长度 10 mm 19.55 mm 9.9 mm

宽度 4 mm 6.85 mm 3.91 mm

高度 1.5 mm 3.43 mm 1.58 mm

封装 SOIC-16 PDIP-16 SOIC-16

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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