IRFZ44NSTRLPBF和IRFZ44NSTRR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRR IRFZ44NSTRRPBF

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 55 V, 0.0175 ohm, 10 V, 4 VD2PAK N-CH 55V 49AD2PAK N-CH 55V 49A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 110 W - 110 W

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 110 W 3.8W (Ta), 94W (Tc) 3.8 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 49A 49A 49A

上升时间 60 ns - 60 ns

输入电容(Ciss) 1470pF @25V(Vds) 1470pF @25V(Vds) 1470pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.8 W - 3.8 W

下降时间 45 ns - 45 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 94W (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc)

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0175 Ω - -

阈值电压 4 V - -

输入电容 1470 pF - -

长度 10.67 mm - 6.5 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.3 mm - 2.3 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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