对比图
型号 CM200DU-12H FMG2G200US60 2MBI200N-060
描述 POWEREX CM200DU-12H IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 200A, 600V, 650W, 600V, Module成型类型模块 Molding Type ModuleTrans IGBT Module N-CH 600V 200A 780000mW 7Pin Case M-233
数据手册 ---
制造商 Powerex Fairchild (飞兆/仙童) FUJI (富士电机)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Chassis Screw -
引脚数 7 7 7
封装 Module 7PM-HA M233
额定电压(DC) 600 V 600 V -
额定电流 200 A 200 A -
耗散功率 650 W 695000 mW 780 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V -
额定功率(Max) 650 W 695 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) - -40 ℃ -
耗散功率(Max) - 695000 mW -
极性 Dual N-Channel - N-Channel
输入电容(Cies) 17.6nF @10V - -
上升时间 - - 600 ns
隔离电压 - - 2.50 kV
高度 - 30 mm -
封装 Module 7PM-HA M233
工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ) -
重量 - - 180 g
产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete
包装方式 - Box -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
ECCN代码 - EAR99 -