NTMFS4C03NT1G和NTMFS4C03NT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTMFS4C03NT1G NTMFS4C03NT3G

描述 30V,136A,2.1mOhm,N沟道功率MOSFET30V,136A,2.1mOhm,N沟道功率MOSFET

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 5

封装 SO-8 DFN-5

耗散功率 64 W 3.1W (Ta), 64W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

上升时间 32 ns 32 ns

输入电容(Ciss) 3071pF @15V(Vds) 3071pF @15V(Vds)

下降时间 17 ns 17 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 64W (Tc) 3.1W (Ta), 64W (Tc)

针脚数 8 -

漏源极电阻 0.0015 Ω -

极性 N-Channel -

阈值电压 2.2 V -

连续漏极电流(Ids) 30A -

封装 SO-8 DFN-5

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20 -

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