1N5818M和LL5818

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5818M LL5818 MLL5818

描述 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER1A,Taiwan Semiconductor低功率损耗 低正向压降 高电流容量 ### 二极管和整流器,Taiwan SemiconductorRectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-213AB,

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Microsemi (美高森美)

分类

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 2 -

封装 MELF MELF -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 0.025 kA -

正向电流(Max) - 1 A -

工作温度(Max) - 125 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

正向电压(Max) 550mV @1A - -

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 2.7 mm -

高度 - 2.7 mm -

封装 MELF MELF -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

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