IXGX120N60B和IXSX80N60B

对比图

型号 IXGX120N60B IXSX80N60B IXGX120N60B3

描述 IGBT 600V 200A 660W TO247Trans IGBT Chip N-CH 600V 180A 3Pin(3+Tab) PLUS 247Trans IGBT Chip N-CH 600V 280A 780000mW 3Pin(3+Tab) PLUS 247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

耗散功率 - - 780 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

额定功率(Max) 660 W 500 W 780 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 780000 mW

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 200 A - -

上升时间 45.0 ns - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

宽度 5.21 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99