对比图
型号 BSC0904NSI STL100NHS3LL STSJ100NHS3LL
描述 INFINEON BSC0904NSI 晶体管, MOSFET, N沟道, 78 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 2 VN沟道30V - 0.0032Ω - 22A - PowerFLAT ™ （引脚6x5 ）的STripFET ™功率MOSFET加上单片肖特基 N-channel 30V - 0.0032Ω - 22A - PowerFLAT™ (6x5) STripFET™ Power MOSFET plus monolithic SchottkyN沟道30V - 0.0032ohm - 20A - PowerSO - 8的STripFET III功率MOSFET加上单片肖特基 N-channel 30V - 0.0032ohm - 20A - PowerSO-8 STripFET III Power MOSFET plus monolithic schottky
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 8 - -
封装 PG-TDSON-8 - SOIC-8
针脚数 8 - -
漏源极电阻 0.0031 Ω - -
极性 N-Channel - N-CH
耗散功率 37 W - 3W (Ta), 70W (Tc)
阈值电压 2 V - -
漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V
连续漏极电流(Ids) 20A - 20A
上升时间 4.4 ns - -
输入电容(Ciss) 1100pF @15V(Vds) - 4200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 37 W - -
下降时间 3 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 37W (Tc) - 3W (Ta), 70W (Tc)
长度 5.9 mm - -
宽度 5.15 mm - -
高度 1.27 mm - -
封装 PG-TDSON-8 - SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -