LM285Z-1.2和LM285BXZ-1.2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM285Z-1.2 LM285BXZ-1.2 LM285BXZ-1.2/NOPB

描述 参考电压V-Ref Precision 1.235V 20mA 3Pin TO-92 BoxLM185-1.2 -N / LM285-1.2 -N / LM385-1.2 -N微功耗电压基准二极管 LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference Diode

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92 TO-226-3

输出电压 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流 20.0 mA 20.0 mA 20 mA

通道数 1 1 1

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

精度 - 10 mV ±1 %

容差 - - ±1 %

输出电压(Max) - - 1.235 V

输出电压(Min) - - 1.235 V

输出电流(Max) - - 20 mA

长度 5.2 mm 5.2 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 5.2 mm 5.2 mm -

封装 TO-92-3 TO-92 TO-226-3

温度系数 ±150 ppm/℃ ±30 ppm/℃ ±30 ppm/℃

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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