对比图
型号 2N2219A JANTX2N2219A 2N2219
描述 0.8W General Purpose NPN Metal Can Transistor. 40V Vceo, 0.8A Ic, 35 hFE.Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3Pin TO-39 BulkNPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Continental Device ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - - Through Hole
引脚数 - - 3
封装 - TO-5-3 TO-39
耗散功率 - 800 mW 0.8 W
击穿电压(集电极-发射极) - - 30 V
最小电流放大倍数(hFE) - 50 100 @150mA, 10V
额定功率(Max) - - 800 mW
工作温度(Max) - - 200 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - 800 mW 800 mW
极性 - NPN -
封装 - TO-5-3 TO-39
材质 - - Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -55℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Discontinued at Digi-Key
包装方式 - - Bag
RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead
军工级 - Yes -