对比图
型号 SPB80N03S2L-03 STB80NF03L-04T4
描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorN沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 - 3
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V
额定电流 80.0 A 80.0 A
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 300W (Tc) 300 W
输入电容 8.18 nF 5500 pF
栅电荷 220 nC -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A
输入电容(Ciss) 8180pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 300 W
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc)
通道数 - 1
漏源极电阻 - 4.00 mΩ
漏源击穿电压 - 30.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V
上升时间 - 270 ns
下降时间 - 95 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
封装 TO-263-3 TO-263-3
宽度 - 9.35 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -60℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free