GBPC3510W-G和KBPC3510T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GBPC3510W-G KBPC3510T GBPC3510W

描述 Diode Rectifier Bridge Single 1kV 35A 4Pin Case GBPC-W TrayDiode Rectifier Bridge Single 1kV 35A 4Pin Case GBPC-TBridge Rectifier Diode, 1 Phase, 35A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GBPC-W, 4Pin

数据手册 ---

制造商 Comchip Technology (上华科技) GeneSiC Semiconductor Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Chassis Through Hole

引脚数 4 4 4

封装 GBPC-W KBPC-TW-4 GBPC-W

正向电压 1.1V @17.5A 1.1V @17.5A 1.1V @17.5A

正向电压(Max) - 1.1V @17.5A -

正向电流(Max) - 35 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 400 A - 400 A

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

正向电流 - - 35 A

高度 - 8.1 mm 8 mm

封装 GBPC-W KBPC-TW-4 GBPC-W

长度 - - 29 mm

宽度 - - 29 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Bulk Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

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