IDT71V67602S166BQ和IDT71V67603S166BQG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71V67602S166BQ IDT71V67603S166BQG

描述 256K X 36 , 512K X 18 3.3V同步SRAM 2.5VI / O,突发计数器流水线输出,单周期取消 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect256K X 36 , 512K X 18 3.3V同步SRAM 3.3VI / O ,突发计数器流水线输出,单周期取消 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

数据手册 --

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 TBGA-165 TBGA

电源电压 3.135V ~ 3.465V -

封装 TBGA-165 TBGA

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 3A991 3A991

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