MJE18004和MJE18004G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE18004 MJE18004G

描述 功率晶体管 POWER TRANSISTORON SEMICONDUCTOR  MJE18004G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 450 V, 13 MHz, 75 W, 5 A, 32 hFE

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

频率 - 13 MHz

额定电压(DC) 450 V 450 V

额定电流 5.00 A 5.00 A

针脚数 - 3

极性 NPN NPN

耗散功率 75 W 75 W

增益频宽积 - 13 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 450 V 450 V

集电极最大允许电流 5A 5A

最小电流放大倍数(hFE) 14 @300mA, 5V 14 @300mA, 5V

额定功率(Max) 75 W 75 W

直流电流增益(hFE) - 32

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

最大电流放大倍数(hFE) 34 -

长度 10.28 mm 10.28 mm

宽度 4.82 mm 4.83 mm

高度 9.28 mm 9.28 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Bulk Tube

最小包装 50 -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99

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