对比图
型号 IXTQ40N50L2 IXTT40N50L2 IXTH40N50L2
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXTQ40N50L2 晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 40 A, 500 V, 170 mohm, 10 V, 2.5 VIXYS SEMICONDUCTOR IXTT40N50L2 晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 40 A, 500 V, 170 mohm, 10 V, 2.5 VIXYS SEMICONDUCTOR IXTH40N50L2 晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 40 A, 500 V, 170 mohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3-3 TO-268-3 TO-247-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 170 mΩ 170 mΩ 170 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 540 W 540 W 540 W
阈值电压 2.5 V 2.5 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
上升时间 133 ns 133 ns 133 ns
输入电容(Ciss) 10400pF @25V(Vds) 10400 pF 10400pF @25V(Vds)
下降时间 44 ns 44 ns 44 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 540W (Tc) 540W (Tc) 540W (Tc)
通道数 1 - -
漏源击穿电压 500 V 500 V -
连续漏极电流(Ids) 40A 40A -
额定功率(Max) - 540 W -
封装 TO-3-3 TO-268-3 TO-247-3
长度 15.8 mm 14 mm -
宽度 4.9 mm 16.05 mm -
高度 20.3 mm 5.1 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - -