SPP04N60C3HKSA1和SPP04N60C3XKSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPP04N60C3HKSA1 SPP04N60C3XKSA1

描述 TO-220 N-CH 650V 4.5ATO-220 N-CH 650V 4.5A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3-1 TO-220-3

漏源极电阻 0.85 Ω -

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 50 W 50 W

阈值电压 3 V -

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 4.5A 4.5A

上升时间 2.5 ns 2.5 ns

输入电容(Ciss) 490pF @25V(Vds) 490pF @25V(Vds)

下降时间 9.5 ns 9.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 50W (Tc) 50W (Tc)

额定功率(Max) - 50 W

封装 TO-220-3-1 TO-220-3

长度 - 10 mm

宽度 - 4.4 mm

高度 - 15.65 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

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