对比图
型号 MT47H128M16RT-187E:C W972GG6JB-3 MT47H128M16RT-25EIT:C
描述 DDR DRAM, 128MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, 9 X 12.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84DDR DRAM, 128MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, 11 X 13MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-84DDR DRAM, 128MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 9 X 12.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
数据手册 ---
制造商 Micron (镁光) Winbond Electronics (华邦电子股份) Micron (镁光)
分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片
引脚数 84 84 84
封装 TFBGA-84 TFBGA-84 FBGA
安装方式 - - Surface Mount
工作电压 1.80 V - 1.80 V
位数 16 16 -
存取时间(Max) 0.35 ns 0.45 ns -
工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ -
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V -
封装 TFBGA-84 TFBGA-84 FBGA
高度 - 0.8 mm -
工作温度 0℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free