对比图
型号 BD135 BD13516S
描述 NPN 晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-126-3 TO-126-3
额定电压(DC) - 45.0 V
额定电流 - 1.50 A
极性 NPN NPN
耗散功率 1.25 W 1.25 W
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V
集电极最大允许电流 - 1.5A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V
最大电流放大倍数(hFE) 250 250
额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1250 mW 1250 mW
频率 50 MHz -
针脚数 3 -
直流电流增益(hFE) 250 -
长度 7.8 mm 8 mm
宽度 2.7 mm 3.25 mm
高度 10.8 mm 11.2 mm
封装 TO-126-3 TO-126-3
材质 Silicon Silicon
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99
香港进出口证 NLR -