IRL640S和IRL640SPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRL640S IRL640SPBF SIHL640STRL-GE3

描述 MOSFET N-CH 200V 17A D2PAKMOSFET N-CH 200V 17A D2PAKSIHL640STRL-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 17A, 200V, 3Pin SMD-220

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

耗散功率 3.1W (Ta), 125W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司