71016S12Y和IDT71016S12YG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71016S12Y IDT71016S12YG 71016S12YG

描述 SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 12ns 44Pin SOJ TubeCMOS静态RAM 1兆欧( 64K ×16位) CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 SOJ BSOJ-44 SOJ-44

引脚数 44 - 44

电源电压 - 5 V 4.5V ~ 5.5V

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

存取时间 - - 12 ns

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

封装 SOJ BSOJ-44 SOJ-44

长度 - - 28.6 mm

宽度 - - 10.2 mm

高度 - - 2.9 mm

厚度 - - 2.90 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tube, Rail Tube, Rail

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - 3A991 -

工作温度 - - 0℃ ~ 70℃ (TA)

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台