IRF7457PBF和IRF7457TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7457PBF IRF7457TR IRF7457

描述 INFINEON  IRF7457PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 20 V, 7 mohm, 10 V, 3 VSOIC N-CH 20V 15ASOIC N-CH 20V 15A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

引脚数 8 - 8

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 2.5 W 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 15A 15A 15.0 A

输入电容(Ciss) 3100pF @10V(Vds) 3100pF @10V(Vds) 3100pF @10V(Vds)

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定功率 2.5 W - -

通道数 1 - -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.007 Ω - -

阈值电压 3 V - -

漏源击穿电压 20 V - -

上升时间 16 ns - 16 ns

下降时间 7.5 ns - 7.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

额定电压(DC) - - 20.0 V

额定电流 - - 15.0 A

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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