BSM15GD120DLCE3224和BSM35GD120DLCE3224

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSM15GD120DLCE3224 BSM35GD120DLCE3224 F4400R12KF4

描述 Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 35A 17Pin EconoPACK 2A T/RTrans IGBT Module N-CH 1.2kV 70A 17Pin EconoPACK 2A T/RInsulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Eupec

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw -

封装 EconoPACK 2A ECONO2-2 -

引脚数 - 17 -

耗散功率 145 W 280000 mW -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) - 280000 mW -

长度 107.5 mm - -

宽度 45 mm - -

高度 17 mm - -

封装 EconoPACK 2A ECONO2-2 -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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