对比图
型号 GT50J301 IRG4PF50WDPBF IRG4PC50WPBF
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 200000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PLINFINEON IRG4PF50WDPBF 单晶体管, IGBT, 51 A, 2.25 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 引脚INFINEON IRG4PC50WPBF 单晶体管, IGBT, 55 A, 2.3 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
数据手册 ---
制造商 Toshiba (东芝) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3 TO-247-3 TO-247-3
额定功率 - 200 W 200 W
针脚数 - 3 3
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 200000 mW 200 W 200 W
上升时间 - 52.0 ns 33.0 ns
击穿电压(集电极-发射极) - 900 V 600 V
反向恢复时间 - 90 ns -
额定功率(Max) - 200 W 200 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200000 mW 200000 mW 200000 mW
输入电容 - - 3700 pF
热阻 - - 40 ℃/W
长度 - 15.9 mm 15.9 mm
宽度 - 5.3 mm 5.3 mm
高度 26 mm 20.3 mm 20.3 mm
封装 TO-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 End of Life Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -