对比图
型号 NTP5864NG SUP60N06-12P-E3
描述 N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorN通道60 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 -
漏源极电阻 0.0102 Ω -
极性 N-Channel -
耗散功率 107 W 3.25 W
阈值电压 4 V -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 63A -
上升时间 6.4 ns -
输入电容(Ciss) 1680pF @25V(Vds) 1970pF @30V(Vds)
额定功率(Max) 107 W 3.25 W
下降时间 4.6 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 107W (Tc) -
长度 10.28 mm -
宽度 15.75 mm -
高度 4.82 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active -
包装方式 Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free