APT20M38SVR和APT20M38SVRG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT20M38SVR APT20M38SVRG IXFT74N20

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 67A 3Pin(2+Tab) D3PAK200V 67A 0.038W 200V 67A 0.038WTO-268 N-CH 200V 74A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 - TO-268-3 TO-268-3

引脚数 - 3 -

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 30 mΩ

极性 - - N-CH

耗散功率 - 370 W 360 W

漏源极电压(Vds) - 200 V 200 V

漏源击穿电压 - - 200 V

连续漏极电流(Ids) - 67.0 A 74A

上升时间 - 21 ns 55 ns

输入电容(Ciss) - 6120pF @25V(Vds) 5400pF @25V(Vds)

下降时间 - 10 ns 26 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) - 370W (Tc) 360W (Tc)

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 - 67.0 A -

输入电容 - 6.12 nF -

栅电荷 - 225 nC -

额定功率(Max) - 370 W -

长度 - 16.05 mm 16.05 mm

宽度 - 13.99 mm 14 mm

高度 - 5.08 mm 5.1 mm

封装 - TO-268-3 TO-268-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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