IXFV15N100P和IXFX15N100

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFV15N100P IXFX15N100 IXFH15N100P

描述 PLUS N-CH 1000V 15APLUS N-CH 1000V 15ATO-247 N-CH 1000V 15A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 - - 3

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 543W (Tc) 360W (Tc) 543W (Tc)

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V

连续漏极电流(Ids) 15A 15.0 A 15A

输入电容(Ciss) 5140pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds) 5140pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 543W (Tc) 360W (Tc) 543W (Tc)

通道数 - - 1

阈值电压 - - 6.5 V

上升时间 - 30.0 ns 44 ns

下降时间 - - 58 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

额定电压(DC) - 1.00 kV -

额定电流 - 15.0 A -

漏源极电阻 - 700 mΩ -

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-247-3

宽度 - - 5.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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