对比图
型号 CJD31CTR13 MJD31CRLG MJD31C
描述 Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin,ON SEMICONDUCTOR MJD31CRLG 双极性晶体管, NPN, 100V D-PAK低电压NPN功率晶体管 Low voltage NPN power transistor
数据手册 ---
制造商 Central Semiconductor ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - - 6.6 mm
宽度 - - 6.2 mm
高度 - - 2.4 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
频率 - 3 MHz -
额定电压(DC) - 100 V 100 V
额定电流 - 3.00 A 3.00 A
针脚数 - 3 -
极性 - NPN -
耗散功率 - 15 W 15 W
击穿电压(集电极-发射极) - 100 V 100 V
集电极最大允许电流 - 3A -
最小电流放大倍数(hFE) - 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V
额定功率(Max) - 1.56 W 15 W
直流电流增益(hFE) - 10 -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 1560 mW -
材质 - Silicon -
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 -