IS42S16160D-75ETL和IS42S16160D-75ETLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S16160D-75ETL IS42S16160D-75ETLI-TR IS42S16160G-7TL

描述 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 133MHz @ CL2, 54Pin TSOP II RoHS256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 133MHz @ CL2, 54Pin TSOP II RoHS, TR, IT, T&RRAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 - 54

封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54

工作电压 - - 3V ~ 3.6V

供电电流 180 mA - 130 mA

位数 16 - 16

存取时间 7.5 ns - 5.4 ns

存取时间(Max) 5.5 ns - 5.4 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V

电源电压(Min) 3 V - 3 V

长度 - - 22.42 mm

宽度 - - 10.29 mm

高度 - - 1.05 mm

封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 PB free

ECCN代码 - - EAR99

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