IXFA5N100P和IXFP5N100P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFA5N100P IXFP5N100P

描述 TO-263AA N-CH 1000V 5ATO-220 N-CH 1000V 5A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-220-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 250W (Tc) 250W (Tc)

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V

连续漏极电流(Ids) 5A 5A

上升时间 13 ns 13 ns

输入电容(Ciss) 1830pF @25V(Vds) 1830pF @25V(Vds)

下降时间 37 ns 37 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250W (Tc) 250W (Tc)

封装 TO-263-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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