MUN5215DW1T1G和MUN5215T1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5215DW1T1G MUN5215T1 PUMH4

描述 ON SEMICONDUCTOR  MUN5215DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, SOT-363MUN5215T1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 增益160-350 SOT-323/SC-70 marking/标记 8ENXP  PUMH4  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 3 6

封装 SC-70-6 SC-70-3 SOT-363

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

无卤素状态 Halogen Free - -

极性 N-Channel, NPN NPN NPN

耗散功率 0.385 W 310 mW 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 160 @5mA, 10V 160 @5mA, 10V 200

额定功率(Max) 250 mW 202 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 385 mW 310 mW -

电源电压 1.4 V - -

针脚数 - - 6

直流电流增益(hFE) - - 200

长度 2.2 mm - 2.2 mm

宽度 1.35 mm - 1.35 mm

高度 1 mm 0.85 mm 1 mm

封装 SC-70-6 SC-70-3 SOT-363

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

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