72V263L10PFI和IDT72V263L10PF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 72V263L10PFI IDT72V263L10PF SN74V263PZAEP

描述 FIFO Mem Sync Dual Depth/Width Uni-Dir 8K x 18/16K x 9 80Pin TQFP3.3伏高密度SUPERSYNC窄总线FIFO 3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC NARROW BUS FIFOFIFO(先进先出)存储器,Texas Instruments (WO)### FIFO(先进先出)存储器

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) TI (德州仪器)

分类 FIFOFIFOFIFO

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TQFP-80 LQFP LQFP-80

引脚数 80 - 80

封装 TQFP-80 LQFP LQFP-80

长度 14.0 mm - 14 mm

宽度 14.0 mm - 14 mm

厚度 1.40 mm - -

高度 - - 1.4 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 3A991.b.2.b

存取时间 6.5 ns - 5 ns

电源电压 3.15V ~ 3.45V - 3.15V ~ 3.45V

频率 - - 133 MHz

电源电压(DC) - - 3.15V ~ 3.45V

供电电流 - - 35 mA

电路数 - - 2

时钟频率 - - 133 MHz

电压波节 - - 3.30 V

输出电流驱动 - - -250 µA

存取时间(Max) - - 5 ns

工作温度(Max) - - 125 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

电源电压(Max) - - 3.45 V

电源电压(Min) - - 3.15 V

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -55℃ ~ 125℃

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