IRF130和IRF231

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF130 IRF231 2N6758

描述 INFINEON  IRF130  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 100 V, 180 mohm, 10 V, 4 V8.0A和9.0A , 150V和200V , 0.4和0.6 Ohm的N通道功率MOSFET 8.0A and 9.0A, 150V and 200V, 0.4 and 0.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETsN沟道MOSFET N-CHANNEL MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Intersil (英特矽尔) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - - Through Hole

封装 TO-204 - TO-204

引脚数 3 - -

耗散功率 75 W - 4W (Ta), 75W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V - 200 V

额定功率(Max) - - 4 W

耗散功率(Max) 75000 mW - 4W (Ta), 75W (Tc)

针脚数 2 - -

漏源极电阻 0.18 Ω - -

阈值电压 4 V - -

上升时间 80 ns - -

输入电容(Ciss) 650pF @25V(Vds) - -

下降时间 45 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-204 - TO-204

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - - Contains Lead

军工级 Yes - -

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