SI8261AAC-C-ISR和SI8261BBC-C-IS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI8261AAC-C-ISR SI8261BBC-C-IS SI8261BCC-C-IS

描述 600mA Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1Channel 8-SOICSILICON LABS  SI8261BBC-C-IS  数字隔离器, 1通道, 40 ns, 5 V, 30 V, NSOIC, 8 引脚SILICON LABS  SI8261BCC-C-IS  数字隔离器, 1通道, 40 ns, 5 V, 30 V, NSOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 Silicon Labs (芯科) Silicon Labs (芯科) Silicon Labs (芯科)

分类 接口隔离器接口隔离器接口隔离器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 NSOIC-8 NSOIC-8

上升/下降时间 5.5ns, 8.5ns 5.5ns, 8.5ns 5.5ns, 8.5ns

通道数 1 1 1

正向电压 2.8V (Max) 2.8V (Max) 2.8V (Max)

耗散功率 300 mW 300 mW 300 mW

隔离电压 3750 Vrms 3750 Vrms 3750 Vrms

正向电流 30 mA 30 mA 30 mA

正向电流(Max) 30 mA - -

电源电压 6.5V ~ 30V - -

电源电压(DC) - 5.00V (min) 5.00V (min)

输出接口数 - 2 2

输出电压 - - 0.25 V

输出电流 - - 4 A

针脚数 - 8 8

上升时间 - - 5.5 ns

下降时间 - 20 ns 8.5 ns

下降时间(Max) - 20 ns 20 ns

上升时间(Max) - 15 ns 15 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 300 mW

电源电压(Max) - 30 V 30 V

电源电压(Min) - 5 V 5 V

封装 SOIC-8 NSOIC-8 NSOIC-8

长度 - 4.8 mm 4.8 mm

宽度 - 3.8 mm 3.8 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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