IPB80N04S2-04和SPB80N04S2-H4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB80N04S2-04 SPB80N04S2-H4 SPB80N04S2-04

描述 OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3-2 TO-263-3-2

额定电压(DC) - 40.0 V 40.0 V

额定电流 - 80.0 A 80.0 A

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 - 300W (Tc) 300W (Tc)

输入电容 - 5.89 nF 6.98 nF

栅电荷 - 148 nC 170 nC

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 80A 80.0 A 80.0 A

输入电容(Ciss) 5300pF @25V(Vds) 5890pF @25V(Vds) 6980pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 300W (Tc) 300W (Tc)

额定功率(Max) 300 W - -

封装 TO-263-3 TO-263-3-2 TO-263-3-2

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

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